Shanghái, 20 abril, batalladeideas.com.- Un grupo de la Universidad de Fudan, ubicada en Shanghái, China, ha desarrollado un dispositivo de memoria flash del tamaño de un grano de arroz que elimina y reescribe datos en 400 picosegundos (0,0000000004 segundos), tiempo en el que la luz recorre apenas 12 centímetros.
Conocido como ‘Poxiao’, el aparato fue presentado en la revista científica Nature esta semana y es el más rápido creado hasta el momento, superando la velocidad de los sistemas tradicionales de esta clase.
Con una frecuencia de funcionamiento de 2.500 millones de ciclos por segundo, el nuevo aparato brinda una velocidad 100.000 veces mayor, en comparación con los varios microsegundos necesarios para una memoria flash tradicional.
La memoria flash es un sistema de almacenamiento digital no volátil que utiliza semiconductores: utiliza chips de silicio sin componentes móviles para guardar información aunque el dispositivo esté apagado. A diferencia de los discos duros tradicionales, las memorias flash —como las unidades USB— proporcionan accesos más veloces, menor consumo de energía y mayor resistencia a impactos.
‘Poxiao’ permite igualar las velocidades de cálculo y almacenamiento en un solo semiconductor, lo que representa un avance crucial para disminuir la latencia en aplicaciones de inteligencia artificial (IA) y mejorar el consumo energético de centros de datos, uno de los grandes retos que enfrenta el sector de la IA.
La innovación de ‘Poxiao’ se basa en un mecanismo que puede transferir electrones directamente a un estado de alta energía sin necesidad de procesos de calentamiento previos.
De acuerdo con los autores, esta estrategia trasciende los límites teóricos de la física clásica de semiconductores y redefine las fronteras de las tecnologías de almacenamiento contemporáneas.
EL ARAGUEÑO
